您是否遇到過個(gè)人臺(tái)式機(jī)或筆記本電腦沒有足夠內(nèi)存來運(yùn)行任務(wù)的情況？還是您的 RAM 不足以防止程序卡頓？那個(gè)任務(wù)是在谷歌瀏覽器上保持 15 個(gè)標(biāo)簽頁打開嗎？

　　如果您對(duì)上述 3 個(gè)問題中的任何一個(gè)的回答是肯定的，那么三星可能會(huì)為您提供解決方案。推出三星最新的 DDR5 RAM 解決方案，該技術(shù)現(xiàn)在使用戶能夠在單個(gè) RAM 棒上擁有 512GB 的 DDR5 內(nèi)存。

　　作為目前業(yè)界領(lǐng)先的 DDR4 內(nèi)存供應(yīng)商之一，三星正計(jì)劃率先開發(fā)DDR5 RAM。最近三星在其 YouTube 頻道上發(fā)布了一段視頻，重點(diǎn)介紹了三星 DDR5-7200 模塊技術(shù)的最新功能。

　　三星新的 512GB DDR5 RAM 模塊改進(jìn)了公司的層堆疊內(nèi)存封裝技術(shù)，用于其最新的 DDR4 內(nèi)存模塊。在下圖中，您可以比較三星的 4 層 DDR4 內(nèi)存芯片與 8 層DDR5芯片之間的區(qū)別，兩者均使用三星的硅通孔技術(shù)連接。

　　通過對(duì)硅層的研磨，三星已經(jīng)能夠使組成芯片的厚度減少 40%，并同樣減少層間距——因此這些密度更大的DDR5集成芯片組實(shí)際上更薄，分別為 1.0 毫米和 1.2 毫米。反過來，三星將能夠制造一個(gè) 512GB 的 RAM 棒，將 8 個(gè)堆疊的 DRAM 連接在一起。

　　最后但同樣重要的是，三星聲稱其 DDR5 技術(shù)的速度是上一代的兩倍，聲稱速度高達(dá) 6400Mbps 以上。

　　然而，性能的提高并不影響電源效率，因?yàn)槿堑腄DR5技術(shù)實(shí)際上比上一代產(chǎn)品的能效提高了 30%，這要?dú)w功于運(yùn)行 DDR5 RAM 所需的電壓更低。

　　三星已經(jīng)提到它將為數(shù)據(jù)中心、智能手機(jī)制造商和筆記本電腦制造商等提供DDR5 RAM。而 512GB DDR5 內(nèi)存條是否會(huì)到達(dá)消費(fèi)者手中，是一個(gè)留待 2020 年代回答的問題。